陜西碳化硅測(cè)試儀器生產(chǎn)商<p>適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。<br/>主要技術(shù)參數(shù)：IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試 <br/>開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件<br/>Ic：50A～1000A&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; Vce：200V～2000V<br/>Vgs：-10V～＋20V&nbsp; Rg：1R～100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)<br/>負(fù)載：感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換<br/>電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH<br/>電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R<br/>IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試參數(shù)<br/>開(kāi)通延遲td(on): 20nS -10uS&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<br/>上升時(shí)間tr:&nbsp;&nbsp;&nbsp; 20nS -10uS<br/>開(kāi)通能量Eon：&nbsp; 0.1-1000mJ&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<br/>關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：20 nS -10uS&nbsp; &nbsp;<br/>下降時(shí)間 tf： 20nS -10uS&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;<br/>關(guān)斷能量Eoff：0.1-10